Une avancee en lithographie extreme ultraviolet (EUV)

La lithographie extreme ultraviolet (EUV) fait actuellement l’objet
d’intenses recherches dans le monde entier et ceci dans un effort
international concerte. L’EUV est consideree maintenant comme la technologie
la plus viable pour remplacer, aux alentours de 2009, la lithographie
optique classique. Le rayonnement EUV fait partie de la gamme des X-mous,
soit une longueur d’onde de 13,5 nm. La lithographie EUV permettra la
production a grande echelle de puces dont les tailles de motifs sont
inferieures ou egales a 32nm. Cette taille minimum de motif realisable est
regie par la diffraction de la lumiere qui est employee dans le processus
lithographique. Elle depend donc de la longueur d’onde de la source
lumineuse (relation de Rayleigh). Ce besoin croissant d’utiliser des
longueurs d’onde de plus en plus petites est une consequence de la
miniaturisation des circuits.
Lors d’une presentation programmee a l’occasion du 5^e colloque
international sur la lithographie EUV qui s’est tenu a Barcelone du 15 au 19
Oct. 2006, des chercheurs de l’Universite de Floride a Orlando (UCF) ont
indique qu’ils avaient reussi a coupler un laser de forte puissance a un
laser de source plasma, creant un outil efficace pour l’usage d’EUV. La
source de lumiere produite etait d’une puissance 30 fois superieure a ce qui
se faisait d’ordinaire.
Cette technologie unique developpee par UCF repose sur une conversion de la
lumiere laser en EUV, avec une elimination efficace des particules neutres
et chargees qui sont associees a la source plasma. L’etude a ete menee avec
l’aide de Powerlase Ltd, une entreprise anglaise qui a fourni aux chercheurs
le laser de forte puissance.
Ces travaux de recherche ont ete diriges par le Professeur Martin
Richardson, Directeur du Laser Plasma Laboratory a UCF. Son equipe travaille
sur les applications des lasers haute puissance et particulierement le
developpement de source de lumiere EUV et des systemes optiques a rayons X
avances.

Pour en savoir plus, contacts :
P^r Martin C. Richardson, College of Optics & Photonics, University of
Central Florida
Laser Plasma Laboratory, http://lpl.creol.ucf.edu/
Sources : University of Central Florida (UCF)
http://redirectix.bulletins-electroniques.com/G2KQ3
Redacteur : Raphael Allegre, deputy-stic.mst consulfrance-sanfrancisco.org