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Accueil > Liens > Actus sciences > L'oxyde de titane decuple la capacite des memoires a semi-conducteurs
L’Institut National des Sciences et Genies de Materiaux (NIMS) a developpe
un materiau destine a etre utilise dans les semi-conducteurs ou les
transistors.
Les cristaux d’oxyde de titane utilises ont une forme de feuille de 1 nm
d’epaisseur. En empilant les feuilles les unes sur les autres, on obtient un
bloc de 5 a 15 nm de hauteur. Cette structure empilee limite fortement les
courants de fuite et les pertes des composants fabriques avec ce
nano-materiau consommeraient ainsi moins d’un centieme de la puissance qui
lui est fournie. De plus la valeur de la constante dielectrique de ce
materiau est incroyablement haute ce qui signifie que les charges sont
stockees avec une grande densite. Cette derniere propriete multiplie par 100
la capacite des memoires conventionnelles a semi-conducteurs.
Selon ses createurs, le nano-materiau peut aussi etre utilise pour la couche
isolante des transistors.
Sa fabrication ne necessite aucune condition particuliere de temperature et
de pression et peut donc etre faite a temperature ambiante et sans besoin de
travailler sous-vide.
L’Institut National des sciences et genies de materiaux travaille
actuellement en collaboration avec des fabricants de puces japonais et
etranger pour mettre en pratique le nouveau nano-materiau, en premier lieu
pour fabriquer des condensateurs a grande capacite puis, plus tard,
l’elaboration de memoires et de transistors.
Pour en savoir plus, contacts :
Journal en ligne Nikkei :
http://www.nni.nikkei.co.jp/AC/TNKS/Nni20070322D22JSN04.htm
Sources : Nikkei, 23/03/2007
Redacteur : adjoint(point)stic(arobase)ambafrance(tiret)jp(point)org -
438/STIC/2380
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