Dossier Special : La Photolithographie

L’industrie des semiconducteurs a connu ces dernieres annees un de ses plus forts taux de croissance (+27% en 2004), apres la chute des ventes occasionnee par l’eclatement de la bulle internet en 2001. Si les profits et la demande augmentent, le cout de realisation des composants suit la meme tendance. Avec le temps, la complexite des composants s’accroit et les etapes de realisation se multiplient en appliquant un meme modele de fabrication : depot, photolithographie, gravure, dopage,... Le nombre de niveaux d’interconnexions atteint aujourd’hui la dizaine de couches, chacune necessitant la reproduction des memes procedes. Dans ce contexte, les techniques de photolithographie (definition des zones actives du circuit) sont cruciales mais couteuses et contribuent en majeure partie a la prosperite de l’industrie des semiconducteurs. En 2007, la generation 65 nm succedera a la generation 90 nm debutee en 2004, ou la longueur des grilles atteindra 35 nm avec un controle sur les dimensions de 2,2 nm (Source :
ITRS). Alors que l’industrie photolithographique a reussi jusqu’a present a relever les defis technologiques se trouvant sur son chemin, les limites physiques et les couts exorbitants des procedes font douter de la faisabilite des nouveaux objectifs definis par l’ITRS. Aujourd’hui les nanotechnologies sont activement developpees pour prendre le relais des techniques de photolithographie optique, l’industrie se trouvant confrontee a un changement obligatoire a moyen terme de son infrastructure. Quels seront les successeurs des techniques de photolithographie optique ? Les objectifs de la roadmap sont-ils realisables dans les temps ? Quels sont les efforts de recherche americains dans ce domaine ?

Auteurs : Michael Ronan Nique, Christophe Lerouge Ambassade de France aux Etats-Unis - 17 pages - 1/07/2005 - pdf 2,50 Mo

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