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Des transistors a partir de nano-fil

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Des chercheurs du NIST (National Institute for Standards and Technology) ont cree un nouveau modele de transistor a nano-fil en silicium qui utilise un type de contact simplifie entre le canal nano-fil et les electrodes du transistor. Il permet la circulation de davantage de courant en entree et en sortie du silicium. Selon les chercheurs, il s’agit du premier modele de transistor a nano-fil utilisant une approche « top-down » avec des contacts Schottky. Ces contacts requierent beaucoup moins de dopage que les contacts classiques (le processus de fabrication est donc plus simple), offrent une resistance plus importante, et restreignent le flux d’electron a une seule direction lorsque le transistor est en mode bloque. Les canaux en nano-fils de 60 nm permettent au transistor d’etre moins sensible au bruit electronique dans le canal, et il peut changer de mode de fonctionnement plus efficacement. Les travaux du NIST resoudraient donc les difficultes que pose l’emploi de nano-fils pour l’electronique mais egalement - par l’emploi de nano-fils fabriques avec les procedes de lithographie conventionnels - devraient permettre d’augmenter les performances des composants nanoelectroniques actuels, tout en gardant la technologie au silicium (gage d’industrialisation plus aisee).

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